豁免后的三星，充当美国打手，升级236L技术打压中国存储芯片？
众所周知，前段时间美国正式“无限豁免”了三星、SK海力士这两家韩国。
接下来这两家韩企在中国大陆境内的芯片扩产等，不受任何禁令的限制，也不需要许可证，就可以购买任何先进的设备，使用美国先进的技术等等。
美国为何会豁免这两大企业，有两个原因，一是拉拢这两家韩国小弟，给点甜头，免得他们不满，最后反弹，影响到美国自己。
另外一个原因就是，目前中国存储芯片在崛起，希望三星、SK海力士在中国大陆搞风搞雨的，充当美国的打手，打压中国存储芯片，遏制中国存储芯片的崛起。
要知道去年长江存储就有了232层的 3D NAND闪存芯片，还是全球第一家量产232层存储芯片的厂商，这当然让美国不爽了，一方面对长存进行打压，而豁免三星、SK海力士，也算是给他们递刀子。
既然美国递了刀子，且豁免三星、SK海力士，作为条件，那么三星等，自然也要满足美国的要求嘛，那就是想办法来打压中国存储芯片。
所以近日，有消息传出，三星高层已决定将其为在中国西安NAND Flash闪存工厂升级到236层堆叠的技术，并准备开始大规模扩产动作，之前这家工厂要生产128层的芯片为主。
要知道，目前长江存储最高技术就是232层，且因为禁令，产能有限，基本没法扩产，所以目前长存的主流芯片其实还是96层技术。
三星扩产为236L技术，一定程度上来讲，其实就是降维打击，毕竟236层对96层，存储密度更高，同样容量之下的成本更低，价格有优势。
从市场的角度来看，如果三星用236L技术，来打压长存的96层技术，三星当然有优势的，那么必将影响到长江存储的市场。
而三星在行动，相信SK海力士也不远了，这两大厂商如果对中国存储芯片进行降维打击，通过价格，技术升级等，对国产存储的影响还是比较大的，你觉得呢？
接下来，希望国产存储赶紧突破，早点实现更高堆叠的存储技术，靠老技术，很难与三星、SK海力士等竞争。
而要实现更高堆叠的新技术，在国外先进设备被禁的情况之下，只有期待国产设备突破了，这又回到了我们最关注的点，那就是国产供应链真的必须雄起了，否则就会一直被打压，被围堵……